Наименование
Модуль М2ТБИ1-160Наименование
М2ТБИ1-160Корпус
MTD3-2Схема
ПолумостСтатус
Новая разработкаVRRM / VDRM [В]
1800Диапазон класса по напряжению [В]
1600-1800IT(AV) / IF(AV) [А]
166TC [°C]
86IFSM / ITSM (tp=10 мс) [кА]
5.0VTО [В]
1.54rT [мОм]
1.24Rth(j-c) [°C/Вт]
0.12Tjmax [°C]
125Visol [В]
2500Ширина основания [мм]
50(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
1000(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
500-1000tq [мкс]
25Применение
Array