Наименование
Модуль МДЧТБИ-100Наименование
МДЧТБИ-100Корпус
MTD2Схема
ПолумостСтатус
В производствеVRRM / VDRM [В]
1200Диапазон класса по напряжению [В]
600-1200IT(AV) / IF(AV) [А]
100TC [°C]
80IFSM / ITSM (tp=10 мс) [кА]
2.5VTО [В]
1.38rT [мОм]
2.70Rth(j-c) [°C/Вт]
0.210Tjmax [°C]
125Visol [В]
2500Ширина основания [мм]
34(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
800(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
1000tq [мкс]
16-63Применение
Array