Наименование
Модуль МДЧТБИ-160Наименование
MДЧТБИ-160Корпус
MTD3Схема
ПолумостСтатус
В производствеVRRM / VDRM [В]
1400Диапазон класса по напряжению [В]
600-1400IT(AV) / IF(AV) [А]
160TC [°C]
85IFSM / ITSM (tp=10 мс) [кА]
6.0VTО [В]
1.35rT [мОм]
1.10Rth(j-c) [°C/Вт]
0.130Tjmax [°C]
125Visol [В]
3000Ширина основания [мм]
50(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
1000(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
1000tq [мкс]
16-63Применение
Array