Наименование
Модуль МДТ1-200Наименование
МДТ1-200Корпус
MTD2Схема
ПолумостСтатус
В производствеVRRM / VDRM [В]
1200Диапазон класса по напряжению [В]
400-1200IT(AV) / IF(AV) [А]
218TC [°C]
85IFSM / ITSM (tp=10 мс) [кА]
5.5VTО [В]
0.83rT [мОм]
0.58Rth(j-c) [°C/Вт]
0.180Tjmax [°C]
130Visol [В]
2500Ширина основания [мм]
34(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
200(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
1000tq [мкс]
125Применение
Array