Наименование
Модуль МТБИДЧ-200Наименование
МТБИДЧ-200Корпус
MTD3Схема
ПолумостСтатус
В производствеVRRM / VDRM [В]
900Диапазон класса по напряжению [В]
300-900IT(AV) / IF(AV) [А]
200TC [°C]
80IFSM / ITSM (tp=10 мс) [кА]
7.0VTО [В]
1.20rT [мОм]
0.80Rth(j-c) [°C/Вт]
0.130Tjmax [°C]
125Visol [В]
3000Ширина основания [мм]
50(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
1000(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
1000tq [мкс]
12-63Применение
Array