IGBT модуль М2ТКИ-1200-12К

IGBT модуль М2ТКИ-1200-12К
IGBT модуль М2ТКИ-1200-12К

IGBT модуль М2ТКИ-1200-12К

  • Наименование
    М2ТКИ-1200-12К
  • Корпус
    MI6
  • Схема
    Два ключа
  • Статус
    В производстве
Основные характеристики
М2ТКИ-1200-12К.pdf pdf, 248.25 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Полумост
  • Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока / диоды чоппера (EmCon Fast diodes)
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Корпус с изолированным основанием
  • Диагностические выводы коллектора для контроля VCE
  • Наименование

    IGBT модуль М2ТКИ-1200-12К
  • Наименование

    М2ТКИ-1200-12К
  • Корпус

    MI6
  • Схема

    Два ключа
  • Статус

    В производстве
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    2500
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    1200
  • VCEsat [В]

    1.70
  • VF [В]

    2.20
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    245/190/35
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.025
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    140/130/42
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог