IGBT модуль М2ТКИ-200-12КЧ

IGBT модуль М2ТКИ-200-12КЧ
IGBT модуль М2ТКИ-200-12КЧ

IGBT модуль М2ТКИ-200-12КЧ

  • Наименование
    М2ТКИ-200-12КЧ
  • Корпус
    MI4
  • Схема
    Полумост
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
М2ТКИ-200-12КЧ.pdf pdf, 703.44 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • IGBT Fast Trench Fieldstop 4-го поколения
  • Диоды Emitter Controlled 4-го поколения
  • Низкие суммарные динамические потери
  • Частоты коммутации до 20 кГц
  • Низкое значение VCEsat
  • Повышенная рабочая температура Tj op =150 ºC
  • Сниженный нормированный ток короткого замыкания
  • Наименование

    IGBT модуль М2ТКИ-200-12КЧ
  • Наименование

    М2ТКИ-200-12КЧ
  • Корпус

    MI4
  • Схема

    Полумост
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    175
  • Visol [В]

    4000
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    200
  • VCEsat [В]

    1.75
  • VF [В]

    1.65
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    15/20/16
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.13
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    62/106/31
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование