IGBT модуль М2ТКИ-300-12К

Служба поддержки

Основные особенности:

Полумост
Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
Встроенные быстродействующие диоды обратного тока / диоды чоппера (EmCon Fast diodes)
Сверхнизкие потери в открытом состоянии
Корпус с изолированным основанием
Диагностические выводы коллектора для контроля V_CE

Наименование
IGBT модуль М2ТКИ-300-12К
Наименование
М2ТКИ-300-12К
Корпус
MI4
Схема
Полумост
Статус
В производстве
T_jmax [°C]
150
V_isol [В]
2500
V_CES [В]
1200
I_C [А]
300
V_CEsat [В]
1.70
V_F [В]
1.65
E_on / E_off / E_rec [мДж]
25/44/26
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.085
Размеры(ш/д/в) [мм]
62/106/31
Применение
Общепромышленное
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array