IGBT модуль М2ТКИ-300-17КТ

IGBT модуль М2ТКИ-300-17КТ
IGBT модуль М2ТКИ-300-17КТ

IGBT модуль М2ТКИ-300-17КТ

  • Наименование
    М2ТКИ-300-17КТ
  • Корпус
    MI4
  • Схема
    Полумост
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
М2ТКИ-300-17КТ.pdf pdf, 751.58 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Полумост
  • Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при ΔTj = 70 ºC)
  • Корпус повышенной прочности с изолированным основанием из композиционного материала (AlSiC)
  • Специальные металлокерамические платы на основе AlN
  • Корпус с изолированным основанием
  • Диагностические выводы коллектора для контроля VCE
  • Наименование

    IGBT модуль М2ТКИ-300-17КТ
  • Наименование

    М2ТКИ-300-17КТ
  • Корпус

    MI4
  • Схема

    Полумост
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    4000
  • VCES [В]

    1700
  • IC [А]

    300
  • VCEsat [В]

    2.00
  • VF [В]

    1.80
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    115/95/70
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.075
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    62/106/31
  • Применение

    Транспорт
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • ПСН подвижного состава железных дорог