0 en

  • Введите поисковый запрос

IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН

ПАО "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ"
Продукция
Силовые полупроводниковые приборы
IGBT и FRD модули
IGBT модули
IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН
IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН
IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН

IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН

Заказать в 1 клик
  • Наименование
    М2ТКИ-400-12КН
  • Корпус
    MI4
  • Схема
    Полумост
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
2ТКИ-400-12КН.pdf pdf, 521.03 KB
Служба поддержки
8 (8342) 48-07-33
nicspp@elvpr.ru
Основные особенности:
  • Полумост
  • Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Корпус с изолированным основанием

  • Наименование

    IGBT модуль М2ТКИ-400-12КН

  • Наименование

    М2ТКИ-400-12КН

  • Корпус

    MI4

  • Схема

    Полумост

  • Статус

    Новое изделие

  • Tjmax [°C]

    175

  • Visol [В]

    4000

  • VCES [В]

    1200

  • IC [А]

    400

  • VCEsat [В]

    1.65

  • VF [В]

    1.68

  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    27/45/33.5

  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.062

  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    62/106/31

  • Применение

    Общепромышленное

  • Примечание

    VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС

  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • ПСН подвижного состава железных дорог

ПАО Электровыпрямитель

Россия, 430001, Мордовия, г. Саранск, ул. Пролетарская, 126

© 1999-2024. Публичное Акционерное Общество «Электровыпрямитель». Все права защищены
Политика конфидециальности