IGBT модуль М2ТКИ2-50-12

IGBT модуль М2ТКИ2-50-12
IGBT модуль М2ТКИ2-50-12

IGBT модуль М2ТКИ2-50-12

  • Наименование
    М2ТКИ2-50-12
  • Корпус
    MI3
  • Схема
    Полумост
  • Статус
    В производстве
Основные характеристики
М2ТКИ2-50-12.pdf pdf, 416.8 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Полумост
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока
  • Корпус с изолированным основанием
  • Наименование

    IGBT модуль М2ТКИ2-50-12
  • Наименование

    М2ТКИ2-50-12
  • Корпус

    MI3
  • Схема

    Полумост
  • Статус

    В производстве
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    2500
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    50
  • VCEsat [В]

    2.50
  • VF [В]

    2.30
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    8.5/4.5/2.4
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.3
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    34/94/30
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог