IGBT модуль МДТКИ-1000-33H

IGBT модуль МДТКИ-1000-33H
IGBT модуль МДТКИ-1000-33H

IGBT модуль МДТКИ-1000-33H

  • Наименование
    МДТКИ-1000-33H
  • Корпус
    MI8
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
Служба поддержки
  • Наименование

    IGBT модуль МДТКИ-1000-33H
  • Наименование

    МДТКИ-1000-33H
  • Корпус

    MI8
  • Схема

    Чоппер
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    6000
  • VCES [В]

    3300
  • IC [А]

    1000
  • VCEsat [В]

    2.20
  • VF [В]

    2.40
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    1600/2000/1200
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.013
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    140/190/40
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС