IGBT модуль МДТКИ-1000-33НТВ

Служба поддержки

Основные особенности:

SPT IGBT
Низкое значение V_CEsat
Электрическая прочность изоляции V_ISOLне менее 10,2 кВ (эфф.)
Повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при ΔT_j = 70 °C)
Корпус повышенной прочности с изолированным основанием из композиционного материала (AlSiC)
Специальные металлокерамические платы на основе AlN
Специальная защита сварных соединений

Наименование
IGBT модуль МДТКИ-1000-33НТВ
Наименование
МДТКИ-1000-33НТВ
Корпус
MI10-2
Схема
Чоппер
Статус
Новое изделие
T_jmax [°C]
150
V_isol [В]
10200
V_CES [В]
3300
I_C [А]
1000
V_CEsat [В]
2.20
V_F [В]
2.40
E_on / E_off / E_rec [мДж]
1600/2000/1200
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.012
Размеры(ш/д/в) [мм]
140/190/48
Применение
Транспорт
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array