IGBT модуль МДТКИ-1200-17C

Служба поддержки

Основные особенности:

Одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин)
Кристаллы SPT IGBT
Встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)
Сверхнизкие потери в открытом состоянии
Корпус с изолированным основанием
Диагностические выводы коллектора для контроля V_CE

Наименование
IGBT модуль МДТКИ-1200-17C
Наименование
МДТКИ-1200-17C
Корпус
MI6
Схема
Чоппер
Статус
В производстве
T_jmax [°C]
175
V_isol [В]
4000
V_CES [В]
1700
I_C [А]
1200
V_CEsat [В]
2.50
V_F [В]
1.85
E_on / E_off / E_rec [мДж]
520/470/305
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.026
Размеры(ш/д/в) [мм]
140/130/42
Применение
Общепромышленное
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array