IGBT модуль МДТКИ-1200-17Т

Служба поддержки

Основные особенности:

Одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин)
Встроенный быстродействующий диод обратного тока
Повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при ΔT_j = 70 °C)
Корпус повышенной прочности с изолированным основанием из композиционного материала (AlSiC)
Специальные металлокерамические платы на основе AlN
Специальная защита сварных соединений
Уменьшенные статические и динамические потери
Соответствие международным стандартам по габаритным и присоединительным размерам

Наименование
IGBT модуль МДТКИ-1200-17Т
Наименование
МДТКИ-1200-17Т
Корпус
MI8
Схема
Чоппер
Статус
Новое изделие
T_jmax [°C]
150
V_isol [В]
4000
V_CES [В]
1700
I_C [А]
1200
V_CEsat [В]
2.60
V_F [В]
2.10
E_on / E_off / E_rec [мДж]
330/480/180
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.013
Размеры(ш/д/в) [мм]
140/190/40
Применение
Транспорт
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array