IGBT модуль МДТКИ-200-06

IGBT модуль МДТКИ-200-06
IGBT модуль МДТКИ-200-06

IGBT модуль МДТКИ-200-06

  • Наименование
    МДТКИ-200-06
  • Корпус
    MI3
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    В производстве
Основные характеристики
МДТКИ_МТКИД-200-06.pdf pdf, 319.72 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ-200-06) или эмиттера (МТКИД-200-06)
  • Встроенный быстродействующий диод обратного тока
  • Корпус с изолированным основанием
  • Наименование

    IGBT модуль МДТКИ-200-06
  • Наименование

    МДТКИ-200-06
  • Корпус

    MI3
  • Схема

    Чоппер
  • Статус

    В производстве
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    2500
  • VCES [В]

    600
  • IC [А]

    200
  • VCEsat [В]

    1.95
  • VF [В]

    1.25
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    4.6/6.3/4.1
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.17
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    34/94/30
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог