0 en

  • Введите поисковый запрос

IGBT модуль МДТКИ-50-12К

ПАО "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ"
Продукция
Силовые полупроводниковые приборы
IGBT и FRD модули
IGBT модули
IGBT модуль МДТКИ-50-12К
IGBT модуль МДТКИ-50-12К
IGBT модуль МДТКИ-50-12К

IGBT модуль МДТКИ-50-12К

Заказать в 1 клик
  • Наименование
    МДТКИ-50-12К
  • Корпус
    MI3
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    В производстве
Основные характеристики
МДТКИ-50-12К.pdf pdf, 294.46 KB
Служба поддержки
8 (8342) 48-07-33
nicspp@elvpr.ru
Основные особенности:
  • Полумост / чоппер
  • Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока / диоды чоппера (EmCon Fast diodes)
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Корпус с изолированным основанием

  • Наименование

    IGBT модуль МДТКИ-50-12К

  • Наименование

    МДТКИ-50-12К

  • Корпус

    MI3

  • Схема

    Чоппер

  • Статус

    В производстве

  • Tjmax [°C]

    150

  • Visol [В]

    2500

  • VCES [В]

    1200

  • IC [А]

    50

  • VCEsat [В]

    1.70

  • VF [В]

    1.65

  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    5/6.5/4.1

  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.45

  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    34/94/30

  • Применение

    Общепромышленное

  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС

  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог

ПАО Электровыпрямитель

Россия, 430001, Мордовия, г. Саранск, ул. Пролетарская, 126

© 1999-2024. Публичное Акционерное Общество «Электровыпрямитель». Все права защищены
Политика конфидециальности