IGBT модуль МДТКИ-800-12КН

Служба поддержки

Основные особенности:

Одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин)
Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
Встроенные быстродействующие диоды обратного тока
Сверхнизкие потери в открытом состоянии
Корпус с изолированным основанием
Диагностические выводы коллектора для контроля V_CE

Наименование
IGBT модуль МДТКИ-800-12КН
Наименование
МДТКИ-800-12КН
Корпус
MI6
Схема
Чоппер
Статус
Новое изделие
T_jmax [°C]
175
V_isol [В]
4000
V_CES [В]
1200
I_C [А]
800
V_CEsat [В]
1.70
V_F [В]
1.90
E_on / E_off / E_rec [мДж]
92/141/64
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.035
Размеры(ш/д/в) [мм]
140/130/42
Применение
Общепромышленное
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array