IGBT модуль МТКИ-1600-12КН

IGBT модуль МТКИ-1600-12КН
IGBT модуль МТКИ-1600-12КН

IGBT модуль МТКИ-1600-12КН

  • Наименование
    МТКИ-1600-12КН
  • Корпус
    MI7
  • Схема
    Одиночный ключ
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
МТКИ-1600-12КН.pdf pdf, 536.35 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Одиночный ключ
  • Кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate)
  • Встроенные быстродействующие диоды обратного тока
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Корпус с изолированным основанием
  • Диагностические выводы коллектора для контроля VCE
  • Наименование

    IGBT модуль МТКИ-1600-12КН
  • Наименование

    МТКИ-1600-12КН
  • Корпус

    MI7
  • Схема

    Одиночный ключ
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    175
  • Visol [В]

    4000
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    1600
  • VCEsat [В]

    1.70
  • VF [В]

    1.80
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    250/370/125
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.018
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    140/130/42
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи для ветроэнергетики
  • Электропривода двигателей переменного тока
  • Мощные инверторы