IGBT модуль МТКИ-1600-17СТ

Служба поддержки

Основные особенности:

Одиночный ключ
Встроенный быстродействующий диод обратного тока
Корпус с изолированным основанием
Повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при ΔTj = 70 °C)
Корпус повышенной прочности с изолированным основанием из композиционного материала (AlSiC)
Металлокерамические платы на основе AlN
Специальная защита сварных соединений

Наименование
IGBT модуль МТКИ-1600-17СТ
Наименование
МТКИ-1600-17СТ
Корпус
MI7
Схема
Одиночный ключ
Статус
В производстве
T_jmax [°C]
175
V_isol [В]
4000
V_CES [В]
1700
I_C [А]
1600
V_CEsat [В]
2.25
V_F [В]
1.65
E_on / E_off / E_rec [мДж]
790/320/400
R_th(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.0195
Размеры(ш/д/в) [мм]
140/130/42
Применение
Транспорт
Примечание
VCEsat , VF - типичные значения при 25ºС; Eon / Eoff / Erec - типичные значения при 125ºС
Применение
Array