IGBT модуль МТКИ-50-12-1Ч

IGBT модуль МТКИ-50-12-1Ч
IGBT модуль МТКИ-50-12-1Ч

IGBT модуль МТКИ-50-12-1Ч

  • Наименование
    МТКИ-50-12-1Ч
  • Корпус
    MI1
  • Схема
    Одиночный ключ
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
МТКИ-50-12-1Ч.pdf pdf, 346.22 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Одиночный ключ
  • Корпус с изолированным основанием
  • Низкое значение энергий коммутационных потерь при включении Eon и выключении Eoff
  • Оптимальные частоты коммутации 15-35 кГц
  • Выводы, адаптированные под штекерные разъемы
  • Наименование

    IGBT модуль МТКИ-50-12-1Ч
  • Наименование

    МТКИ-50-12-1Ч
  • Корпус

    MI1
  • Схема

    Одиночный ключ
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    2500
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    50
  • VCEsat [В]

    3.20
  • VF [В]

    нет диода
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    6/2.5/ нет диода
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.3
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    25/38/25
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог