IGBT модуль МТКИ-50-33Н

IGBT модуль МТКИ-50-33Н
IGBT модуль МТКИ-50-33Н

IGBT модуль МТКИ-50-33Н

  • Наименование
    МТКИ-50-33Н
  • Корпус
    MI3
  • Схема
    Одиночный ключ
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
МТКИ-50-33Н.pdf pdf, 819.45 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Одиночный ключ
  • Корпус с изолированным основанием
  • Оптимальные частоты коммутации до 1 кГц
  • Наименование

    IGBT модуль МТКИ-50-33Н
  • Наименование

    МТКИ-50-33Н
  • Корпус

    MI3
  • Схема

    Одиночный ключ
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    4000
  • VCES [В]

    3300
  • IC [А]

    50
  • VCEsat [В]

    2.20
  • VF [В]

    2.40
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    84/108/56
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.21
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    34/94/30
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • ПСН подвижного состава железных дорог