0 en

  • Введите поисковый запрос

IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ

ПАО "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ"
Продукция
Силовые полупроводниковые приборы
IGBT и FRD модули
IGBT модули
IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ
IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ
IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ

IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ

Заказать в 1 клик
  • Наименование
    МТКИД-200-12КЧ
  • Корпус
    MI4
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
МТКИД-200-12КЧ.pdf pdf, 703.44 KB
Служба поддержки
8 (8342) 48-07-33
nicspp@elvpr.ru
Основные особенности:
  • IGBT Fast Trench Fieldstop 4-го поколения
  • Диоды Emitter Controlled 4-го поколения
  • Низкие суммарные динамические потери
  • Частоты коммутации до 20 кГц
  • Низкое значение VCEsat
  • Повышенная рабочая температура Tj op =150 ºC
  • Сниженный нормированный ток короткого замыкания

  • Наименование

    IGBT модуль МТКИД-200-12КЧ

  • Наименование

    МТКИД-200-12КЧ

  • Корпус

    MI4

  • Схема

    Чоппер

  • Статус

    Новое изделие

  • Tjmax [°C]

    175

  • Visol [В]

    4000

  • VCES [В]

    1200

  • IC [А]

    200

  • VCEsat [В]

    1.75

  • VF [В]

    1.65

  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    15/20/16

  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.13

  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    62/106/31

  • Применение

    Общепромышленное

  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС

  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование

ПАО Электровыпрямитель

Россия, 430001, Мордовия, г. Саранск, ул. Пролетарская, 126

© 1999-2024. Публичное Акционерное Общество «Электровыпрямитель». Все права защищены
Политика конфидециальности