IGBT модуль МТКИД-900-12КН

IGBT модуль МТКИД-900-12КН
IGBT модуль МТКИД-900-12КН

IGBT модуль МТКИД-900-12КН

  • Наименование
    МТКИД-900-12КН
  • Корпус
    MI14
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    Новое изделие
Основные характеристики
МТКИД-900-12КН.pdf pdf, 772.55 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Нижний чоппер
  • Кристаллы IGBT Trench Fieldstop 4-го поколения
  • Кристаллы диодов Emitter Controlled 4-го поколения
  • Улучшенные динамические характеристики
  • Сверхнизкие потери в открытом состоянии
  • Низкоиндуктивный корпус полностью совместимый с зарубежными аналогами
  • Повышенная рабочая температура Tj op =150 °
  • Наименование

    IGBT модуль МТКИД-900-12КН
  • Наименование

    МТКИД-900-12КН
  • Корпус

    MI14
  • Схема

    Чоппер
  • Статус

    Новое изделие
  • Tjmax [°C]

    175
  • Visol [В]

    4000
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    900
  • VCEsat [В]

    1.75
  • VF [В]

    1.90
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    70/120/80
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.029
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    89/172/38
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Инверторы для солнечных электростанций и ветроэнергетики
  • Преобразователи для городского электрифицированного транспорта
  • Системы бесперебойного питания