Наименование
IGBT модуль МТКИД2-200-12Наименование
МТКИД2-200-12Корпус
MI4Схема
ЧопперСтатус
В производствеTjmax [°C]
150Visol [В]
2500VCES [В]
1200IC [А]
200VCEsat [В]
2.50VF [В]
2.30Eon / Eoff / Erec [мДж]
34/22/8.4Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]
0.09Размеры(ш/д/в) [мм]
62/106/31Применение
ОбщепромышленноеПримечание
V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºСПрименение
Array