IGBT модуль МТКИД2-300-12

IGBT модуль МТКИД2-300-12
IGBT модуль МТКИД2-300-12

IGBT модуль МТКИД2-300-12

  • Наименование
    МТКИД2-300-12
  • Корпус
    MI4
  • Схема
    Чоппер
  • Статус
    В производстве
Основные характеристики
2-300-12.pdf pdf, 922.38 KB
Служба поддержки
Основные особенности:
  • Одиночный ключ с диодом чоппера в цепи эмиттера
  • Встроенный быстродействующий диод обратного тока
  • Корпус с изолированным основанием
  • Наименование

    IGBT модуль МТКИД2-300-12
  • Наименование

    МТКИД2-300-12
  • Корпус

    MI4
  • Схема

    Чоппер
  • Статус

    В производстве
  • Tjmax [°C]

    150
  • Visol [В]

    2500
  • VCES [В]

    1200
  • IC [А]

    300
  • VCEsat [В]

    2.5
  • VF [В]

    2.3
  • Eon / Eoff / Erec [мДж]

    38/40/12
  • Rth(j-c) на ключ [°C/Вт]

    0.06
  • Размеры(ш/д/в) [мм]

    62/106/31
  • Применение

    Общепромышленное
  • Примечание

    V<sub>CEsat</sub> , V<sub>F</sub> - типичные значения при 25ºС; E<sub>on</sub> / E<sub>off</sub> / E<sub>rec</sub> - типичные значения при 125ºС
  • Применение

    Array
Области применения:
  • Преобразователи частоты
  • Источники бесперебойного питания
  • Сварочное оборудование
  • ПСН подвижного состава железных дорог