Наименование
Тиристор ТБИ173-2000Наименование
ТБИ173-2000Корпус
PT73Статус
В производствеДиапазон класса по напряжению [В]
900-1400TC [°C]
85rT [мОм]
0.10Rth(j-c) [°C/Вт]
0.011Tjmax [°C]
125(diT/dt)cr (Tjmax) [А/мкс]
1000(dvD/dt)cr (Tjmax) [В/мкс]
1000tq [мкс]
20-63VDRM / VRRM [В]
1400IT(AV) [А]
2085ITSM (tp=10мс) [кА]
45VT(TO) [В]
1.23Dmax/Dcont/H [мм]
112/75/26Исполнение
ТаблеточноеТип
Быстродействующий (частотно-импульсный)Применение
Array